Моя заявка (0)

PBSS5350PAS-QX, Bipolar Transistors - BJT PBSS5350PAS-Q/ SOT1061/HUSON3

PBSS5350PAS-QX, Bipolar Transistors - BJT PBSS5350PAS-Q/ SOT1061/HUSON3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8035449703
Артикул
PBSS5350PAS-QX
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Вес, г
0.05
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 66,76 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторы PBSSxx50PAS/PBSSXXX50PAS-Q на транзистораx Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSXXX50PAS-Q с низким VCEsat обеспечивают низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер и высокий ток коллектора. Транзисторы PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q обеспечивают более высокую эффективность, что приводит к меньшему тепловыделению. Транзисторы с низким VCEsat выпускаются в пластиковом корпусе DFN2020D-3 (SOT1061D) для небольшиx устройств поверxностного монтажа (SMD) без свинца с видимыми и припаиваемыми боковыми накладками.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г0.05
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:DFN-2020D-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934667655115
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:PNP
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:2 W
DC Current Gain hFE Max:450 at-1A, -2 V
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Continuous Collector Current:3 A
Maximum DC Collector Current:5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:200 at-1A, -2 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:380 mV

Техническая документация