PBSS5320T,215, 100nA 20V 1.2W 100@3A,2V 2A 100MHz 300mV@3A,300mA PNP +150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017611632
- Артикул
- PBSS5320T,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.03
- Power - Max
- 540 mW
- Package Type
- SOT-23(TO-236AB)
Цена по запросу
(от 5,69 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка транзисторов с низким напряжением насыщения PNP на биполярном переxоде NXP BISS (прорыв в малом сигнале).
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.03 |
| Power - Max | 540 mW |
| Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
| Корпус | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Pd - Power Dissipation | 540mW |
| Minimum DC Current Gain | 220 |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.2 W |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | 2A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 300mA, 3A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Maximum Collector Base Voltage | 20 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -20 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 20V |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |