Моя заявка (0)
PBSS5250T,215, Транзистор: PNP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8042956445
Артикул
PBSS5250T,215
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Вес, г
0.1
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 44 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

50 В 480 МВт 200 Вт при 1 А, 2 В 2 А биполярныx транзистораx PNP SOT-23 - BJT ROHS

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934057992215
Transistor TypePNP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)2A
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)480mW
Pd - Power Dissipation:480 mW
DC Current Gain hFE Max:200 at 500 mA, 2 V
Transition Frequency (fT)100MHz
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)200@1A, 2V
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Maximum DC Collector Current:2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:200 at 500 mA, 2 V, 200 at 1 A, 2 V, 130 at 2 A, 2 V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:300 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@2A, 100mA

Техническая документация