PBSS5240XX, 100nA 40V 1.35W 55@2A,5V 2A 150MHz 630mV@2A,250mA PNP +150-@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070106827
- Артикул
- PBSS5240XX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand
- Nexperia
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Technology
- Si
- Вес, г
- 0.08
Цена по запросу
(от 74 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Технические параметры
| Brand | Nexperia |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.08 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Nexperia |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration | Single |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-89-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 1.35 W |
| DC Current Gain hFE Min | 55hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 150 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | -40 V |
| Continuous Collector Current | -2 A |
| Collector Emitter Voltage Max | 40В |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 55 |
| DC Усиление Тока hFE | 55hFE |
| Частота Перехода ft | 150МГц |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -40 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -1.2 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1.35 W |
| Другие названия товара № | 934067253115 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 55 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |