PBSS5230PAP,115, Bipolar Transistors - BJT PBSS5230PAP/ SOT1118/HUSON6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004727855
- Артикул
- PBSS5230PAP,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 65,61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторы с низким уровнем VCEsat (BISS) Транзисторы Nexperia с низким уровнем VCEsat (BISS) обеспечивают переключение двойной нагрузки с использованием транзисторов double RET и double BISS. Транзисторы Nexperia Low V CEsat (BISS) снижают энергопотребление и тепловыделение до минимума, обеспечивая низкое энергопотребление и высокий ток коллектора благодаря использованию инновационной теxнологии mesh-emitter.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | DFN2020-6 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934066884115 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 370 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 95 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 30 V |
| Continuous Collector Current: | -2 A |
| Maximum DC Collector Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 260 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 30 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 75 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |