Моя заявка (0)
PBSS5160U,115 Transistor, -1 A PNP, -60 V, 3-Pin UMT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8010466293
Артикул
PBSS5160U,115
Бренд
Nexperia B.V.
Pin Count
3
Вес, г
4
Длина
2.2 mm
Package Type
UMT
Цена по запросу
(от 27 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка транзисторов с низким напряжением насыщения PNP на биполярном переxоде NXP BISS (прорыв в малом сигнале).

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г4
Длина2.2 mm
Package TypeUMT
Высота1 mm
Корпусsot-323
Ширина1.35 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain200
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation415 mW
Maximum Operating Frequency185 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSC-70-3
Maximum DC Collector Current-1 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage80 V
Maximum Collector Emitter Voltage-60 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности250 mW
Другие названия товара №PBSS5160U T/R
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток700 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.200 at 1 mA at 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)185 MHz

Техническая документация