Моя заявка (0)

PBSS5160QAZ, 100nA 60V 740mW 125@1A,2V 1A 150MHz 225mV@1A,100mA PNP +150-@(Tj) SOT-1215 Bipolar Transistors - BJT

PBSS5160QAZ, 100nA 60V 740mW 125@1A,2V 1A 150MHz 225mV@1A,100mA PNP +150-@(Tj) SOT-1215 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017573712
Артикул
PBSS5160QAZ
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.01
Структура
pnp
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 58 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 60 V, 1A PNP low VCE sat (BISS) transi

Технические параметры

Вес, г0.01
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокDFN1010D-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности325 mW
Другие названия товара №934067168147
Размер фабричной упаковки5000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер125 mV
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц150
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)160 at - 100 mA, - 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz

Техническая документация