PBSS5120T,215, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073750744
- Артикул
- PBSS5120T,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- SOT23, TO236AB
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0075
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 13,82 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7
Технические параметры
| Case | SOT23, TO236AB |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Mounting | SMD |
| Frequency | 100MHz |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 3 mm |
| Power - Max | 480mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Current gain | 200…450 |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Polarisation | bipolar |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Kind of package | reel, tape |
| Transistor Type | PNP |
| Collector current | 1A |
| Type of transistor | PNP |
| Base Product Number | PBSS5120 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 20V |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 50mA, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 500mA, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Другие названия товара № | 934057987215 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 100 mA, 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |