PBSS4350Z,135, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024652756
- Артикул
- PBSS4350Z,135
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Packaging
- Reel
- Pin Count
- 4
- Technology
- Si
- Вес, г
- 0.13
Цена по запросу
(от 31,76 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V 3A
Технические параметры
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 4 |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.13 |
| Длина | 6.7 mm |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Nexperia |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 1.7 mm |
| Ширина | 3.7 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-3 |
| Part # Aliases | 934056526135 |
| Transistor Type | NPN |
| Power Dissipation | 1.35Вт |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 3A |
| Pd - Power Dissipation | 2W |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| DC Current Gain hFE Max | 200 at 500 mA, 2 V |
| DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 175 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Continuous Collector Current | 3А |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@2A, 2V |
| Maximum DC Collector Current | 3A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 50В |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 30 |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 215 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Другие названия товара № | 934056526135 |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 290mV@2A, 200mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 500 mA, 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 500 mA, 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |