Транзистор PBSS4350X,115
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074783988
- Артикул
- PBSS4350X,115
- Бренд
- NXP Semiconductor
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0075
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- Pin Count
- 4
Цена по запросу
(от 20,20 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V 3A
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.05 |
| Power - Max | 1.6W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Длина: | 4.6 mm |
| Package Type | UPAK |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Высота: | 1.6 mm |
| Ширина: | 2.6 mm |
| Package / Case | TO-243AA |
| Transistor Type | NPN |
| Base Product Number | PBSS4350 -> |
| Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Технология: | Si |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Pd - Power Dissipation | 1.6W |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 300 |
| Supplier Device Package | SOT-89 |
| Transistor Configuration | Single |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Квалификация: | AEC-Q101 |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | Transistors |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | Nexperia |
| Maximum DC Collector Current | 3A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Торговая марка: | Nexperia |
| Упаковка / блок: | SOT-89-3 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 370mV @ 300mA, 3A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Pd - рассеивание мощности: | 1600 mW |
| Другие названия товара №: | 934055628115 |
| Размер фабричной упаковки: | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 50 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 65 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 3 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 100 MHz |