Bipolar junction transistor, NPN, 3 A, 50 V, SMD, SOT-457, PBSS4350D,115
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070131674
- Артикул
- PBSS4350D,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.05
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 35,72 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
PBSS4350D,115, Биполярные транзисторы - BJT TRANS-SS NPN SOT457 50V
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | TSOP-6 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934055947115 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 600 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 200 at 500 mA, 2V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Continuous Collector Current: | 3 A |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 290 mV |