PBSS4320T,215, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026792333
- Артикул
- PBSS4320T,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- SOT23, TO236AB
- Grade
- Automotive
- Mounting
- SMD
- Frequency
- 100MHz
Цена по запросу
(от 15,65 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 20V 2A
Технические параметры
| Case | SOT23, TO236AB |
| Grade | Automotive |
| Mounting | SMD |
| Frequency | 100MHz |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 3 mm |
| Power - Max | 540 mW |
| Current gain | 150…220 |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
| Polarisation | bipolar |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Kind of package | reel, tape |
| Transistor Type | NPN |
| Collector current | 2A |
| Type of transistor | NPN |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Power Dissipation (Pd) | 540mW |
| Minimum DC Current Gain | 220 |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 1.2 W |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 220@1A, 2V |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 310mV @ 300mA, 3A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Maximum Collector Base Voltage | 20 V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 1A, 2V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Другие названия товара № | 934056854215 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 310mV@3A, 300mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 220 at 100 mA, 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |