PBSS4250X,115, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024652755
- Артикул
- PBSS4250X,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0075
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- Pin Count
- 4
Цена по запросу
(от 44,58 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 4.6 mm |
| Power - Max | 1W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | UPAK |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1.6 mm |
| Ширина | 2.6 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-243AA |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Base Product Number | PBSS4250 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Pd - Power Dissipation | 1W |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Minimum DC Current Gain | 300 |
| Supplier Device Package | SOT-89 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 300@1A, 2V |
| Maximum DC Collector Current | 2A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 320mV @ 200mA, 2A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Другие названия товара № | 934057967115 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 320mV@200mA, 2A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 100 mA, 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 100 mA, 2 V, 300 at 500 mA, 2 V, 300 at 1 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |