Моя заявка (0)

PBSS4160U,115, Trans GP BJT NPN 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101

PBSS4160U,115, Trans GP BJT NPN 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002270169
Артикул
PBSS4160U,115
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 34 ₽)
Минимальный заказ: 2743 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г0.01
Длина2.2 mm
Power - Max415mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
Ширина1.35 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-70, SOT-323
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Base Product NumberPBSS4160 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition220MHz
Supplier Device PackageSOT-323
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокUMT-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic280mV @ 100mA, 1A
Current - Collector (Ic) (Max)750mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 500mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности415 mW
Другие названия товара №934058117115
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)220 MHz

Техническая документация