PBSS4160T,215, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024652752
- Артикул
- PBSS4160T,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0075
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 11,20 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 3 mm |
| Power - Max | 400mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Base Product Number | PBSS4160 -> |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Frequency - Transition | 220MHz |
| Power Dissipation (Pd) | 400mW |
| Minimum DC Current Gain | 250 |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Transition Frequency (fT) | 220MHz |
| Maximum Operating Frequency | 220 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@500mA, 5V |
| Maximum DC Collector Current | 900 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100mA, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 5V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 270 mW |
| Другие названия товара № | PBSS4160T T/R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@1A, 100mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at 1 mA at 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 220 MHz |