PBSS4160DS,115, Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 60 V, 1 A, 420 mW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8427857516
- Артикул
- PBSS4160DS,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.006
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 136 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка NXP BISS (Прорыв в малом сигнале) транзисторов с низким напряжением насыщения и биполярным переxодом NPN.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.006 |
| Technology: | Si |
| Package Type | TSOP |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TSOP-6 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934058115115 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Minimum DC Current Gain | 250 |
| Pd - Power Dissipation: | 700 mW |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 700 mW |
| Gain Bandwidth Product fT: | 220 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 220 MHz |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Continuous Collector Current: | 1 A |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 200 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |