Моя заявка (0)
PBSS4140T,215, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024652751
Артикул
PBSS4140T,215
Бренд
Nexperia B.V.
Pin Count
3
Вес, г
0.02
Длина
3 mm
Package Type
SOT-23(TO-236AB)
Цена по запросу
(от 18,55 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 40V 1000MA

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.02
Длина3 mm
Package TypeSOT-23(TO-236AB)
Высота1 mm
КорпусSOT-23
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)1A
Pd - Power Dissipation450mW
Power Dissipation (Pd)450mW
Minimum DC Current Gain300
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation450 mW
Transition Frequency (fT)150MHz
Maximum Operating Frequency150 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)300@500mA, 5V
Maximum DC Collector Current1A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage40 V
кол-во в упаковке3000
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Maximum Collector Emitter Voltage40 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage40V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)40V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности450 mW
Другие названия товара №934056515215
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@100mA, 1A
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300 at 1 mA, 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 1 mA, 5 V, 300 at 500 mA, 5 V, 200 at 1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz

Техническая документация