PBSS4041NZ,115, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 7 A, 770 mW, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000562092
- Артикул
- PBSS4041NZ,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.39
- Корпус
- SOT-223
- Transistor Type
- NPN
- Power Dissipation
- 770мВт
Цена по запросу
(от 291 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
PBSS4041NZ - это 7-вольтовый NPN-транзистор малой мощности (BISS) в пластиковом корпусе для поверxностного монтажа средней мощности с увеличенным теплоотводом. • Очень низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCEsat • Высокая пропускная способность IC и ICM по току коллектора • Высокий коэффициент усиления по току коллектора (hFE) при высокой мощности IC • Высокая энергоэффективность за счет меньшего тепловыделения • Требуемая площадь печатной платы меньше, чем у обычныx транзисторов • Соответствует требованиям стандарта AEC-Q101 • Комплектация PNP - PBSS4041PZ • Маркировочный код PB4041NZ
Технические параметры
| Вес, г | 0.39 |
| Корпус | SOT-223 |
| Transistor Type | NPN |
| Power Dissipation | 770мВт |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 7A |
| Power Dissipation (Pd) | 2.6W |
| DC Current Gain hFE Min | 500hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | - |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 105MHz |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Continuous Collector Current | 7А |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 250@4A, 2V |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| DC Усиление Тока hFE | 500hFE |
| Линейка Продукции | - |
| Частота Перехода ft | 105МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 770 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 195mV@350mA, 7A |
| Непрерывный коллекторный ток | 7 A |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 105 MHz |