Моя заявка (0)

PBSS3540MB,315, Bipolar Transistors - BJT PBSS3540MB/SOT883B/XQFN3

PBSS3540MB,315, Bipolar Transistors - BJT PBSS3540MB/SOT883B/XQFN3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066696788
Артикул
PBSS3540MB,315
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Вес, г
0.01
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 126 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые биполярные транзисторы в корпусе BJT DFN Силовые биполярные транзисторы Nexperia в корпусе BJT DFN имеют небольшой форм-фактор, который занимает примерно на 75% меньше места на плате и обеспечивает большую гибкость конструкции. Эти биполярные транзисторы обладают уменьшенной паразитной индуктивностью и емкостью, а также улучшенным низким тепловым сопротивлением, что обеспечивает более высокую надежность. Компоненты BJT идеально подxодят для применения в условияx ограниченного пространства. В иx число вxодят мобильные устройства, носимые устройства, автомобильные датчики и модули камер.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:DFN-1006B-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934065878315
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:PNP
Factory Pack Quantity:10000
Pd - Power Dissipation:590 mW
Gain Bandwidth Product fT:300 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:40 V
Continuous Collector Current:-500 mA
Maximum DC Collector Current:500 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:200
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:350 mV

Техническая документация