PBSS305NZ,135, 80V 180@2A,2V 2W 5.1A NPN SOT-223-3 Bipolar (BJT) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048620740
- Артикул
- PBSS305NZ,135
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.22
- Длина
- 6.7мм
- Длина:
- 6.7 mm
- Высота
- 1.7мм
Цена по запросу
(от 108,03 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 80V 5.1A
Технические параметры
| Вес, г | 0.22 |
| Длина | 6.7мм |
| Длина: | 6.7 mm |
| Высота | 1.7мм |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7мм |
| Высота: | 1.7 mm |
| Ширина: | 3.7 mm |
| Размеры | 1.7 x 6.7 x 3.7мм |
| Структура | npn |
| Технология: | Si |
| Тип корпуса | SOT-223 (SC-73) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация: | AEC-Q101 |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | Transistors |
| Производитель | Nexperia |
| Производитель: | Nexperia |
| Торговая марка: | Nexperia |
| Упаковка / блок: | SOT-223-3 |
| Тип транзистора | NPN |
| Число контактов | 4 |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Pd - рассеивание мощности: | 2 W |
| Другие названия товара №: | 934059046135 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Размер фабричной упаковки: | 4000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V |
| Максимальная рабочая частота | 110 MHz |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 80 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Минимальная рабочая температура: | - 65 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный пост. ток коллектора | 5,1 А |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 5.1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 190 mV |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 80 V |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.05 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 300 at 500 mA, 2 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.34 V |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 50 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 110 MHz |