PBSS2515YPN,115, Транзистор: NPN / PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024652762
- Артикул
- PBSS2515YPN,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand
- Nexperia
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Вес, г
- 0.1
- Длина
- 2.2 mm
Цена по запросу
(от 28 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7
Технические параметры
| Brand | Nexperia |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 2.2 mm |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Nexperia |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.35 mm |
| Configuration | Dual |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | UMT-3 |
| Part # Aliases | PBSS2515YPN T/R |
| Transistor Type | NPN+PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Упаковка | Reel |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN, PNP |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| DC Current Gain HFE Max | 200 at 10 mA, 2 V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 420 MHz |
| Transition Frequency (fT) | 420MHz;280MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | UMT-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 15 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 150@100mA, 2V |
| Maximum DC Collector Current | 0.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 15 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 15V |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Другие названия товара № | PBSS2515YPN T/R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@500mA, 50mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 15 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 15 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 10 mA at 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 10 mA at 2 V, 150 at 100 mA at 2 V, 90 at 5 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 420 MHz |