Моя заявка (0)

PBRN113ET,215, Digital Transistors 40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 1 kohm, R2 = 1 kohm, Транзистор

PBRN113ET,215, Digital Transistors 40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 1 kohm, R2 = 1 kohm, Транзистор

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049798043
Артикул
PBRN113ET,215
Бренд
Nexperia B.V.
Pin Count
3
Вес, г
0.01
Power - Max
250 mW
Package Type
SOT-23(TO-236AB)
Цена по запросу
(от 11,36 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Оснащенные резисторами биполярные транзисторы, также известные как “Цифровые транзисторы” или “Транзисторы с сопротивлением смещения”, включают в себя один или два встроенныx резистора.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.01
Power - Max250 mW
Package TypeSOT-23(TO-236AB)
КорпусTO236
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Resistor - Base (R1)1 kOhms
Typical Input Resistor1 kΩ
Typical Resistor Ratio1
Supplier Device PackageTO-236AB
Transistor ConfigurationSingle
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current700 mA
Maximum Emitter Base Voltage10 V
Resistor - Emitter Base (R2)1 kOhms
Maximum Operating Temperature+150 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.15V @ 8mA, 800mA
Current - Collector (Ic) (Max)600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Maximum Collector Emitter Voltage40 V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce180 @ 300mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)40 V

Техническая документация