PBHV9540Z,115, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024654255
- Артикул
- PBHV9540Z,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0075
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- Вес, г
- 0.12
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 500V 0.5A PNP HI VLT LO VCESAT TRANSISTOR
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Вес, г | 0.12 |
| Длина | 6.7 mm |
| Power - Max | 1.45W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1.7 mm |
| Ширина | 3.7 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Base Product Number | PBHV9540 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Power Dissipation (Pd) | 1.45W |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 30MHz |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@300mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 320mV @ 100mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 300mA, 10V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 400V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1.45 W |
| Другие названия товара № | 934063483115 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 180mV@500mA, 100mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 500 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 155 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 65 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |