Моя заявка (0)

PBHV9115X,115, 100nA 150V 520mW 30@1A,10V 1A 115MHz 200mV@500mA,50mA PNP +150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT

PBHV9115X,115, 100nA 150V 520mW 30@1A,10V 1A 115MHz 200mV@500mA,50mA PNP +150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017633262
Артикул
PBHV9115X,115
Бренд
Nexperia B.V.
Pin Count
3
Вес, г
0.11
Длина
4.6 mm
Package Type
SOT-89
Цена по запросу
(от 56,83 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 150V 1A PNP HI VLTG LO VCESAT TRANSISTOR

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.11
Длина4.6 mm
Package TypeSOT-89
Высота1.6 mm
КорпусSOT-89/TO-243
Ширина2.6 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Структураpnp
Transistor PolarityPNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain100
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation1.5 W
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-89-3
Maximum DC Collector Current1 A
Maximum Emitter Base Voltage-6 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage-200 V
Maximum Collector Emitter Voltage150 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности1.5 W
Другие названия товара №934061422115
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)200 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.150 V
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц15
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)115 MHz

Техническая документация