PBHV9115T,215, Транзистор: PNP, биполярный, 150В, 1А, 300мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025338056
- Артикул
- PBHV9115T,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0075
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- Вес, г
- 0.02
Цена по запросу
(от 330 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 150В, 1А, 300мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 3 mm |
| Power - Max | 300mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236AB) |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Base Product Number | PBHV9115 -> |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 115MHz |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 10V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Другие названия товара № | PBHV9115T T/R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 200 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 300мВт |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 150 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 60 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 150 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 115 MHz |