PBHV9050T,215, Bipolar Transistors - BJT SOT23 500V .15A PNP HI V BISS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025437807
- Артикул
- PBHV9050T,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- RoHS
- Details
- Brand
- Nexperia
- HTSUS
- 8541.21.0095
Цена по запросу
(от 31 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ТРАНЗИСТОР,PNP,0,15А,500 В,SOT23; Полярность транзистора:PNP; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: -500 В; Частота переxода ft: 50 МГц; Рассеиваемая мощность Pd:300 МВт; Ток коллектора постоянного тока: -150 мА; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:160hFE; Tran
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| RoHS | Details |
| Brand | Nexperia |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Width | 1.4 mm |
| Height | 1 mm |
| Length | 3 mm |
| Вид | PNP |
| Тип | биполярный |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Packaging | Cut Tape |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 3 mm |
| Power - Max | 300mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Unit Weight | 0.035274 oz |
| Manufacturer | Nexperia |
| Package Type | SOT-23 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.4 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Base Product Number | PBHV9050 -> |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Pd - Power Dissipation | 300mW |
| DC Current Gain hFE Max | 300 |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 50 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -6 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | -500 V |
| Continuous Collector Current | -0.15 A |
| Maximum DC Collector Current | 150mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 10mA, 50mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 80 |
| Maximum Collector Base Voltage | -500 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -500 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -500 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 500V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 50mA, 10V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.15 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 500 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 500 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |