Моя заявка (0)
PBHV9040Z,115, Транзистор: PNP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024652722
Артикул
PBHV9040Z,115
Бренд
Nexperia B.V.
Tab
Tab
PPAP
Unknown
Type
PNP
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 257,04 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS HV BISS TAPE-7

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
TypePNP
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count4
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г2.27
Длина6.7 mm
PCB changed3
Part StatusActive
Высота1.7 mm
Ширина3.7 mm
ConfigurationSingle Dual Collector
Transistor TypePNP
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSC-73
Power Dissipation700мВт
Структураpnp
Standard Package NameSC
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation1.4W
DC Current Gain hFE Min200hFE
Minimum DC Current Gain100 50mA 10V|80 100mA 10V|10 250mA 10V
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSC-73-4
Continuous Collector Current250мА
Maximum DC Collector Current250mA
Collector Emitter Voltage Max400В
Maximum Power Dissipation (mW)1400
DC Усиление Тока hFE200hFE
Maximum DC Collector Current (A)0.25
Maximum Emitter Base Voltage (V)6
Maximum Collector Base Voltage (V)500
Maximum Transition Frequency (MHz)55(Typ)
Частота Перехода ft55МГц
Collector-Emitter Breakdown Voltage400V
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Operating Junction Temperature (°C)150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)400
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)1.1 20mA 100mA
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности700 mW
Другие названия товара №PBHV9040Z T/R
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.2 20mA 100mA
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток250 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)500 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.400 V
Максимальный постоянный ток коллектора500 mA
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.100 at 50 mA at 10 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)55 MHz

Техническая документация