PBHV8560ZX, Транзистор биполярный BJT 100 нА 600 В 650мВт 135 при 100 мА, 5 В 500 мА 50 мВ при 100 мА, 20 мА NPN +150-@(Tj) SOT-223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033183946
- Артикул
- PBHV8560ZX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- RoHS
- Details
- Brand
- Nexperia
- HTSUS
- 8541.21.0095
Цена по запросу
(от 70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 600V, .05A NPN High- Voltage Transistor
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| RoHS | Details |
| Brand | Nexperia |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 0.15 |
| Power - Max | 650mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Nexperia |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Корпус | SOT-223 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Power Dissipation | 650мВт |
| Структура | npn |
| Base Product Number | PBHV8560 -> |
| Transistor Polarity | NPN |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 650 mW |
| DC Current Gain hFE Min | 70hFE |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 600 V |
| Continuous Collector Current | 500мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 5mA, 50mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 70 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Усиление Тока hFE | 70hFE |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Линейка Продукции | - |
| Частота Перехода ft | - |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 50 mV |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 10V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 650 mW |
| Другие названия товара № | 934068592115 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 50 mV |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |