Моя заявка (0)

PBHV8215Z,115, Транзистор: NPN, биполярный, 150В, 2А, 730мВт, SOT223

PBHV8215Z,115, Транзистор: NPN, биполярный, 150В, 2А, 730мВт, SOT223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024652267
Артикул
PBHV8215Z,115
Бренд
Nexperia B.V.
Grade
Automotive
Вес, г
1
Длина
6.7 mm
Power - Max
1.45 W
Цена по запросу
(от 127 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 150В, 2А, 730мВт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

GradeAutomotive
Вес, г1
Длина6.7 mm
Power - Max1.45 W
Высота1.7 mm
КорпусSOT-223
Ширина3.7 mm
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q100
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Transistor TypeNPN
Структураnpn
ТехнологияSi
Operating Temperature150°C(TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition33MHz
Pd - Power Dissipation1.45W
Supplier Device PackageSOT-223
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-223-3
Maximum DC Collector Current2A
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic280mV @ 400mA, 2A
Current - Collector (Ic) (Max)2 A
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage150V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1A, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)150 V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности1.45 W
Другие названия товара №934063479115
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)350 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.150 V
Максимальный постоянный ток коллектора4 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.240
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)55
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В150
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)33 MHz

Техническая документация