PBHV8115X,115, 100nA 150V 520mW 50@500mA,10V 1A 30MHz 400mV@100mA,10mA NPN +150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017633257
- Артикул
- PBHV8115X,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.11
- Корпус
- SOT-89/TO-243
- Структура
- npn
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 150V 1A NPN high vltg low VCEsat tran
Технические параметры
| Вес, г | 0.11 |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 520 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 400 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 400 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 150 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 33 mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |