Моя заявка (0)
PBHV8115T,215, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024654287
Артикул
PBHV8115T,215
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 51 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS HV BISS TAPE-7

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0095
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г0.01
Длина3 mm
Power - Max300mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Base Product NumberPBHV8115 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition30MHz
Supplier Device PackageTO-236AB
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic350mV @ 200mA, 1A
Current - Collector (Ic) (Max)1A
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 500mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)150V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности300 mW
Другие названия товара №934061416215
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)400 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.150 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)30 MHz

Техническая документация