Моя заявка (0)

P5F60HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 600В, 5А, Idm: 20А, 65Вт

P5F60HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 600В, 5А, Idm: 20А, 65Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007206507
Артикул
P5F60HP2-5600
Бренд
Shindengen Electric
Case
FTO-220AG(SC91)
Mounting
THT
Technology
Hi-PotMOS2
Вес, г
1.6
Цена по запросу
(от 134 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 600В, 5А, Idm: 20А, 65Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

CaseFTO-220AG(SC91)
MountingTHT
TechnologyHi-PotMOS2
Вес, г1.6
Gate charge15nC
ManufacturerSHINDENGEN
Polarisationunipolar
Drain current5A
Kind of channelenhanced
Kind of packagebulk
Power dissipation65W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.4Ω
Drain-source voltage600V
Pulsed drain current20A
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт65
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация