Моя заявка (0)

P5F50HP2F-5600, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 5А; Idm: 20А

P5F50HP2F-5600, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 5А; Idm: 20А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009067480
Артикул
P5F50HP2F-5600
Бренд
Shindengen Electric
Case
FTO-220AG(SC91)
Mounting
THT
Technology
Hi-PotMOS2
Вес, г
1.56
Цена по запросу
(от 133 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseFTO-220AG(SC91)
MountingTHT
TechnologyHi-PotMOS2
Вес, г1.56
Gate charge10.5nC
ManufacturerSHINDENGEN
Polarisationunipolar
Drain current5A
Kind of channelenhanced
Kind of packagebulk
Power dissipation52.5W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.65Ω
Drain-source voltage500V
Pulsed drain current20A
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация