P5504EDG-VB, 40V 50A 12m-@10V,17A 3W 2.5V@250uA 352pF@25V P Channel 2.872nF@25V 60nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-252-2 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015925281
- Артикул
- P5504EDG-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.38
- Корпус
- TO-252
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 136,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
40 В 50 А 12 Мом при 10 В, 17 А 3 Вт 2.5V@250uA P-канал TO-252-2 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.38 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 3W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 60nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.872nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 50A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 352pF@25V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 12mΩ@10V, 17A |