P50F10SN-5600, Транзистор: N-MOSFET, EETMOS3, полевой, 100В, 50А, Idm: 200А, 51Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007207129
- Артикул
- P50F10SN-5600
- Бренд
- Shindengen Electric
- Case
- FTO-220AG(SC91)
- Mounting
- THT
- Technology
- EETMOS3
- Вес, г
- 1.56
Цена по запросу
(от 233,41 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, EETMOS3, полевой, 100В, 50А, Idm: 200А, 51Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | FTO-220AG(SC91) |
| Mounting | THT |
| Technology | EETMOS3 |
| Вес, г | 1.56 |
| Gate charge | 114nC |
| Manufacturer | SHINDENGEN |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 50A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Power dissipation | 51W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 8.7mΩ |
| Drain-source voltage | 100V |
| Pulsed drain current | 200A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 51 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5.9mΩ@15A, 10V |