P4F60HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029171107
- Артикул
- P4F60HP2-5600
- Бренд
- Shindengen Electric
- Case
- FTO-220AG(SC91)
- Mounting
- THT
- Technology
- Hi-PotMOS2
- Вес, г
- 1.6
Цена по запросу
(от 141,65 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | FTO-220AG(SC91) |
| Mounting | THT |
| Technology | Hi-PotMOS2 |
| Вес, г | 1.6 |
| Gate charge | 12.5nC |
| Manufacturer | SHINDENGEN |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 4A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Power dissipation | 62.5W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 1.8Ω |
| Drain-source voltage | 600V |
| Pulsed drain current | 16A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…3 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.058 ом при 9.6a, 10в |