Моя заявка (0)

P3F60HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 3А; Idm: 12А

P3F60HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 3А; Idm: 12А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009067475
Артикул
P3F60HP2-5600
Бренд
Shindengen Electric
Case
FTO-220AG(SC91)
Mounting
THT
Technology
Hi-PotMOS2
Вес, г
1.55
Цена по запросу
(от 160 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseFTO-220AG(SC91)
MountingTHT
TechnologyHi-PotMOS2
Вес, г1.55
Gate charge10nC
ManufacturerSHINDENGEN
Polarisationunipolar
Drain current3A
Kind of channelenhanced
Kind of packagebulk
Power dissipation52.5W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance2.3Ω
Drain-source voltage600V
Pulsed drain current12A
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе1.1V@10uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация