Моя заявка (0)

P30W60HP2V-5100, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 30А; Idm: 120А

P30W60HP2V-5100, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 30А; Idm: 120А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007205994
Артикул
P30W60HP2V-5100
Бренд
Shindengen Electric
Case
MTO3PV(TO247AD)
Mounting
THT
Technology
Hi-PotMOS2
Вес, г
6.16
Цена по запросу
(от 1 430 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseMTO3PV(TO247AD)
MountingTHT
TechnologyHi-PotMOS2
Вес, г6.16
Gate charge70nC
ManufacturerSHINDENGEN
Polarisationunipolar
Drain current30A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation310W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.23Ω
Drain-source voltage600V
Pulsed drain current120A
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе2.45
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.004 Ом/15А, 10В

Техническая документация