Моя заявка (0)

P2610BT-VB, 100V 70A 18.3m-@10V,30A 355W 4V@250uA 110pF@25V N Channel 1.5nF@25V 90nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-220AB-3 MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015868049
Артикул
P2610BT-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Type
N Channel
Вес, г
2.06
Корпус
TO-220AB
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 127 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

100 В 70 А 18.3mOhm@10V,30355 Вт, 4 В при 250 мкА, N-канальный TO-220AB-3 МОП-транзистора, соответствующие требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г2.06
КорпусTO-220AB
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)355W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)90nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.5nF@25V
Continuous Drain Current (Id)70A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)110pF@25V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А70
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт355
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)18.3mΩ@10V, 30A

Техническая документация