P16B6SB-5071, Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 60В; 16А; Idm: 48А; 20Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010483941
- Артикул
- P16B6SB-5071
- Бренд
- Shindengen Electric
- Case
- FB(TO252AA)
- Mounting
- SMD
- Technology
- EETMOS3
- Вес, г
- 0.37
Цена по запросу
(от 81,15 ₽)
Минимальный заказ: 3 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | FB(TO252AA) |
| Mounting | SMD |
| Technology | EETMOS3 |
| Вес, г | 0.37 |
| Gate charge | 17nC |
| Manufacturer | SHINDENGEN |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 16A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 20W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 37mΩ |
| Drain-source voltage | 60V |
| Pulsed drain current | 48A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |