P10F50HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 500В, 10А, Idm: 40А, 79Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007203786
- Артикул
- P10F50HP2-5600
- Бренд
- Shindengen Electric
- Case
- FTO-220AG(SC91)
- Mounting
- THT
- Technology
- Hi-PotMOS2
- Вес, г
- 1.6
Цена по запросу
(от 360 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 500В, 10А, Idm: 40А, 79Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | FTO-220AG(SC91) |
| Mounting | THT |
| Technology | Hi-PotMOS2 |
| Вес, г | 1.6 |
| Gate charge | 20nC |
| Manufacturer | SHINDENGEN |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 10A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Power dissipation | 79W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.75Ω |
| Drain-source voltage | 500V |
| Pulsed drain current | 40A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |