P0R5B60HP2-5071, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 500мА; Idm: 2А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010487876
- Артикул
- P0R5B60HP2-5071
- Бренд
- Shindengen Electric
- Case
- FB(TO252AA)
- Mounting
- SMD
- Technology
- Hi-PotMOS2
- Вес, г
- 0.36
Цена по запросу
(от 87,59 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | FB(TO252AA) |
| Mounting | SMD |
| Technology | Hi-PotMOS2 |
| Вес, г | 0.36 |
| Gate charge | 4.3nC |
| Manufacturer | SHINDENGEN |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 0.5A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 35W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 10Ω |
| Drain-source voltage | 600V |
| Pulsed drain current | 2A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |