NZT660A, Транзистор биполярный BJT 100 нА 60 В 2 Вт 250 при 500 мА, 2 В 3 А 75 МГц PNP 500 мВ при 3 А, 300 мА -55°C+150°C @(Tj) SOT-223-4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017646330
- Артикул
- NZT660A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Category
- Bipolar Power
- Mounting
- Surface Mount
- Frequency
- 75(MHz)
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 94,81 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor Low Saturation
Технические параметры
| Category | Bipolar Power |
| Mounting | Surface Mount |
| Frequency | 75(MHz) |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 0.19 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | NZT660A |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | SOT-223 |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 1.6 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.56 mm |
| Power Dissipation | 2(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (DC) | 3(A) |
| Collector-Base Voltage | 60(V) |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Другие названия товара № | NZT660A_NL |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 550 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 75 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 75 MHz |