Моя заявка (0)

NZT660A, Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation

NZT660A, Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004835900
Артикул
NZT660A
Бренд
ON Semiconductor***
Category
Bipolar Power
Mounting
Surface Mount
Frequency
75(MHz)
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 84,82 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor Low Saturation

Технические параметры

CategoryBipolar Power
MountingSurface Mount
Frequency75(MHz)
PackagingTape and Reel
Pin Count3+Tab
Вес, г0.19
Длина6.5 mm
СерияNZT660A
Output PowerNot Required(W)
Package TypeSOT-223
Rad HardenedNo
Высота1.6 mm
Ширина3.56 mm
Power Dissipation2(W)
Number of Elements1
Структураpnp
Transistor PolarityPNP
Emitter-Base Voltage5(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (DC)3(A)
Collector-Base Voltage60(V)
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокSOT-223-4
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Operating Temperature ClassificationMilitary
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности2 W
Другие названия товара №NZT660A_NL
Размер фабричной упаковки4000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток3 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.550
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)75 MHz

Техническая документация