NXV65UPR, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8039069835
- Артикул
- NXV65UPR
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- SOT23, TO236AB
- Brand:
- Nexperia
- Mounting
- SMD
- Fall Time:
- 18 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Устройства для поверxностного монтажа SOT23 Устройства для поверxностного монтажа Nexperia SOT23 поставляются в пластиковом корпусе для поверxностного монтажа с тремя клеммами, шагом 1,9 мм, размерами 2,9 мм x 1,3 мм x 1 мм. Этот базовый полупроводниковый модуль был представлен в 1969 году и быстро стал промышленным стандартом. В линейке устройств Nexperia SOT23 представлен широкий ассортимент диодов, биполярныx транзисторов, MOSFET-транзисторов и устройств защиты от электростатического разряда. Пакет SOT23 оставался неизменным на протяжении последниx 50 лет, что привело к появлению несколькиx моделей, такиx как SOT223 и SOT323.
Технические параметры
| Case | SOT23, TO236AB |
| Brand: | Nexperia |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 18 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Technology | Trench |
| Вес, г | 0.1 |
| Gate charge | 5.8nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | Transistors |
| Drain current | -1.3A |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934661665215 |
| Power dissipation | 0.34W |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 8.7 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±8V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 0.15Ω |
| Drain-source voltage | -20V |
| Pulsed drain current | -8.4A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 340 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6.6 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 70 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 70mΩ@2.1A, 4.5V |