Half Bridge NXV65HR Type N-Channel MOSFET, 26 A, 650 V, 16-Pin APMCA-A16 NXV65HR82DZ2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014563340
- Артикул
- NXV65HR82DZ2
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- NXV65HR
- Pin Count
- 16
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
Цена по запросу
(от 6 350 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенное полупроводниковое зарядное устройство H-bridge серии APM16 для LLC и фазосдвигаемый преобразователь постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Series | NXV65HR |
| Pin Count | 16 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | APMCA-A16 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 126Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 4 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.082 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.073Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 26 A |
| Непрерывный Ток Стока | 26А |
| Рассеиваемая Мощность | 126Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.073Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.073 Ом |