NXH80T120L3Q0S3G, IGBT Module, Dual [Half Bridge], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Module
![NXH80T120L3Q0S3G, IGBT Module, Dual [Half Bridge], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Module](https://static.epl-electro.ru/lib/991/DOC025991767.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012539831
- Артикул
- NXH80T120L3Q0S3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 90
- Package Type
- Q0PACK-Case 180AB(Pb-Free and Halide-Free)
- Number of Transistors
- 4
- Maximum Power Dissipation
- 188 W
Цена по запросу
(от 13 770 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модуль ON Semiconductor Q0PACK представляет собой силовой модуль, содержащий треxуровневый инверторный каскад с Т-образной нейтральной точкой.
Технические параметры
| Вес, г | 90 |
| Package Type | Q0PACK-Case 180AB(Pb-Free and Halide-Free) |
| Number of Transistors | 4 |
| Maximum Power Dissipation | 188 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A |