NXH80B120H2Q0SG, Trans IGBT Module N-CH 1200V 41A 103W 22-Pin PIM Tray
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002415795
- Артикул
- NXH80B120H2Q0SG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Power Dissipation
- 103Вт
- Выводы БТИЗ
- Solder
- Continuous Collector Current
- 40А
Цена по запросу
(от 13 940 ₽)
Минимальный заказ: 24 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Power Dissipation | 103Вт |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Continuous Collector Current | 40А |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
| DC Ток Коллектора | 40А |
| Конфигурация БТИЗ | PIM Half Bridge Inverter |
| Количество Выводов | 22вывод(-ов) |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.2В |
| Рассеиваемая Мощность | 103Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Стиль Корпуса Транзистора | PIM |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.2В |