NXH Dual Silicon N/P-Channel MOSFET, 800 A, 1200 V, 11-Pin PIM11 NXH800H120L7QDSG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049953586
- Артикул
- NXH800H120L7QDSG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- onsemi
- Series
- NXH
- Pin Count
- 11
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 71 820 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полумостовой IGBT-модуль питания ON Semiconductor оснащен встроенными IGBT-транзисторами Field Stop Trench 7 и диодами поколения 7, что обеспечивает более низкие потери на проводимость и коммутацию. Такая конструкция обеспечивает высокую эффективность и превосxодную надежность. Модуль сконфигурирован как полумост 2-в-1 напряжением 1200 В и напряжением 800 А, что делает его идеальным для приложений, требующиx высокой производительности и оптимальной эффективности преобразования энергии.
Технические параметры
| Brand | onsemi |
| Series | NXH |
| Pin Count | 11 |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PIM11 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 800 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 800 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |