NXH450B100H4Q2F2PG, IGBT Module, Dual, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012628556
- Артикул
- NXH450B100H4Q2F2PG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 90
- Power Dissipation
- 234Вт
- Number of Transistors
- 2
- Выводы БТИЗ
- Press Fit
Цена по запросу
(от 28 180 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модуль ON Semiconductor Q2BOOST представляет собой гибридный треxканальный симметричный модуль усиления Si или SiC. Каждый канал содержит два IGBT-транзистора напряжением 1000 В, 150 А, два SiC-диода напряжением 1200 В, 30 А и два байпасныx диода напряжением 1600 В, 30 А.
Технические параметры
| Вес, г | 90 |
| Power Dissipation | 234Вт |
| Number of Transistors | 2 |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Maximum Power Dissipation | 79 W |
| Continuous Collector Current | 101А |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Collector Emitter Voltage Max | 1кВ |
| Технология БТИЗ | IGBT(Trench/Field Stop) |
| DC Ток Коллектора | 101А |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1000 V |
| Конфигурация БТИЗ | Dual |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Maximum Continuous Collector Current | 101 A |
| Рассеиваемая Мощность | 234Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1кВ |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |